编辑: GXB156399820 | 2019-07-01 |
2 倍. 塔q上所使用的测试专用 TSV 数量不应超过 测试专用 TSV 数量的上限约束 max TSV q . 由于塔与 塔之间所使用的测试专用 TSV 互不相关, 因而各 塔中所使用的测试专用 TSV 独立计算. 首先, 说 明单塔 3D-SIC 测试专用 TSV 约束的计算. 设晶片 编号沿自底向上方向增加, 晶片 i+1 和晶片 i 之间 的测试专用 TSV 数量由
2 个因素决定: 1) 晶片 i+1 的TAM 宽度及晶片 i+1 上方各晶片 TAM 宽度的最 大值记为
1 t maxi W ? ;
2) 晶片 i+1 及其上方各并行测 试晶片集合中的晶片 TAM 宽度之和的最大值记为
1 pmax TSV i? . 晶片 i+1 和晶片 i 之间所需测试专用 TSV 数量取决于二者中的较大值. 下面举例说明. 图1中给出了
2 个包含
6 个晶片的单塔 3D-SIC, 自底向上各晶片序号依次如图中括号外的数字所 示为 0, 1, 2, 3, 4, 5;
图中括号内的数字表示各晶片 的TAM 宽度. 设图 1a 中自底向上各晶片的 TAM 宽度依次为 30, 25, 15, 20, 25, 20;
若底部晶片上可 用于测试的引脚数量为
40 时, 得到的调度方案为 {0, 1, 2||4, 3||5}, 其中符号 || 表示并行测试, , 表 示串行测试. 此情况下, 晶片
0 和晶片
1 之间的测 试专用 TSV 数量取决于: 1) 晶片
1 的TAM 宽度及 晶片
1 上方各晶片{2, 3, 4, 5}TAM 宽度的最大值, 即1tmax W =25;
2) 晶片
1 及其上方各晶片存在
2 个 并行测试集合, 其中{2||4}的TAM 宽度之和为 40, {3||5}中的 TAM 宽度之和也为 40, 此时
1 pmax TSV = 40. 由于
1 pmax TSV >
1 tmax W , 因此此时晶片
0 和晶 片1之间所需的测试专用 TSV 取决于
1 pmax TSV . 第1期崔小乐, 等: 多塔 3D-SIC 的量子粒子群测试调度方法
199 图1b 中自底........