PDF《TIANJIN ZHONGHUAN SEMICONDUCTOR CO.》

五、公司业务及生产经营有关资产权属情况

(一)土地使用权 股份公司生产经营目前使用三宗土地.

1、股份公司拥有位于南开区黄河道

495 号土地使用证,该宗土地使用性质为 工业用地,土地面积为 10,333 平方米,土地证号:南单国用(2005)第126 号.

2、环欧公司拥有位于天津市新技术产业园区华苑产业区(环外部分)的土地 使用证,该宗土地使用性质为工业用地,面积 20,252.7 平方米,土地证号:新单 国用(2005)130 号.

3、股份公司目前拥有位于天津市新技术产业园区华苑产业区(环外部分) No.55 地块中、地块编号为 2003-009 的土地,该宗土地使用性质为工业用地,面积113,081.3 平方米.土地使用证正在办理中.

(二)房产

1、股份公司拥有位于南开区黄河道

495 号土地上房屋的所有权证,房屋所有 权证号:房权证南开字第

040178662 号,房产面积:15,646.25 平方米.

2、股份公司拥有位于天津市新技术产业园区华苑产业区(环外)海泰东路

12 号土地上的房屋,房屋用途为工业厂房,房产面积:39,780 平方米.公司将在取 得土地使用证后尽快办理房产证.

3、环欧公司拥有位于天津市新技术产业园区华苑产业区(环外)海泰东路

12 号土地上的房屋,房屋用途为工业厂房,房产面积:7,428 平方米.房屋产权证明 在办理之中.

(三)商标 公司拥有 天三 商标.

(四)专利技术 天津中环半导体股份有限公司招股说明书摘要 1-2-9 已获得国家知识产权局专利证书的专利情况 序号 名称专利权人 专利号 证书号 专利 申请日 授权 公告日 专利权 期限

1 多层硅片电火花 切割固定夹具 中环 ZL

2004 2 0056868.5 第772978 号2004 年12 月21 日2006 年4月12 日10 年2生产硅单晶的直 拉区熔法 环欧 ZL

00 1 05518.6 第97158 号2000 年3月30 日2002 年12 月4日20 年3气相掺杂区熔硅 单晶的生产方法 环欧 ZL

02 1 59135.0 第263349 号2002 年12 月30 日2006 年5月3日20 年4气相预掺杂和中 子辐照掺杂组合 的区熔硅单晶的 生产方法 环欧、 中国核 动力研究设计院第一研究所 ZL

03 1 09067.2 第269062 号2003 年4月3日2006 年6月21 日20 年5大直径区熔硅单 晶制备方法 环欧 ZL

2005 1 0013851.0 第301320 号2005 年6月15 日2006 年12 月27 日20 年6区熔硅单晶炉电 气控制装置 环欧 ZL

2006 2 0025965.7 第860003 号2006 年4月30 日2007 年1月17 日10 年 正在办理过程中的专利情况 序号 名称专利权人 办理情况1区熔气相掺杂太阳能电池单晶 硅的制备方法 环欧

2005 年12 月9日取得国家知识产权局 《专利申请初步审查合格通知书》

2 一种台面整流器件的玻璃钝化 形成工艺 中环

2004 年12 月21 日取得国家知识产权局 《专利申请受理通知书》

3 区熔硅单晶炉电气控制系统 环欧

2006 年4月19 日取得国家知识产权局 《专利申请受理通知书》

4 大直径区熔单晶硅生产方法 环欧

2006 年4月21 日........